台積電3奈米是致勝關鍵！SK海力士HBM4E拚效能超車三星

SK海力士的HBM4（第六代HBM高頻寬記憶體）即將量產，不過性能表現似乎不盡人意，某些方面甚至落後於三星。對此，SK海力士正研擬一項重大計劃，在即將問世的HBM4E（第七代高頻寬記憶體）中，邏輯晶片（Logic Die）全面採用台積電3奈米製程，屆時性能將超車三星。

根據韓媒報導，目前SK海力士供應輝達（NVIDIA）的HBM4產品，在記憶體晶片採用10奈米級第五代（1b）DRAM製程，邏輯晶片則使用台積電12奈米製程；相較之下，三星在HBM4已導入更先進的10奈米級第六代（1c）DRAM與4奈米邏輯製程，在技術規格上更具優勢。

儘管如此，SK海力士仍憑藉供貨量穩居市場龍頭，但在效能評價上略遜一籌，也讓HBM4E被視為關鍵翻身戰。業界指出，為扭轉市場觀感，SK海力士已規劃在下一代產品中大幅升級架構。

據透露，HBM4E除了將記憶體晶片全面升級至1c DRAM製程外，最關鍵的邏輯晶片將直接採用台積電3奈米製程，作為主力配置。半導體業者分析，在客製化HBM趨勢下，邏輯晶片製程雖可能橫跨3至12奈米，但追求最高效能的產品，3奈米仍將成為主流選擇。

這項策略轉變，也顯示SK海力士從過去強調量產穩定性，轉向以效能為核心的競爭路線，試圖在與三星的競爭中重新取得技術主導權。

另一方面，HBM4E市場需求持續升溫。除輝達外，AMD與Google等科技大廠也已表態，將在下一代AI晶片導入HBM4E。據悉，輝達未來旗艦AI晶片「Vera Rubin Ultra」亦將採用該記憶體，進一步推升市場競爭強度。

同時，三星也積極布局次世代市場，並已在GTC 2026大會公開展示HBM4E產品，顯示雙方競爭已提前開打。隨著AI算力需求持續升高，這場圍繞高頻寬記憶體的技術戰，正進入新一輪白熱化階段。

（圖片來源：三立新聞網、SK海力士官網）