台積電、ASML改寫先進製程基本規格！High NA EUV光罩從6吋走向12吋　台積電2030年導入量產

半導體先進製程延續數十年的6吋光罩規格，準備迎來重大改變。台積電與荷蘭曝光機設備龍頭ASML 9月8日共同宣布，正式推動產業轉向12吋大型光罩，希望解決High NA EUV進入下一世代製程後面臨的曝光面積限制。台積電並首度明確提出，預計2030年開始把ASML High NA EUV技術導入先進節點大量生產。

這項合作是在9月7日美國加州蒙特瑞SPIE BACUS光罩技術會議前成立。兩家公司設定的路線圖非常清楚：先以現行6吋光罩導入High NA EUV，再逐步轉向12吋光罩；2031年前建立12吋光罩試產線，2033年讓完整的12吋High NA微影系統具備先進製程量產條件。多家High NA使用者、光罩供應商及半導體供應鏈業者已表達加入意願。

High NA EUV是ASML現行EUV之後最重要的微影世代，數值孔徑由0.33提高到0.55，可以在單次曝光印出更細微的線路。ASML資料顯示，High NA系統可把單次曝光解析能力推進到8奈米，印出的特徵尺寸比現有NXE EUV縮小約1.7倍，電晶體密度理論上可提高約2.9倍。代價是High NA使用特殊非等倍率光學設計，目前曝光視野只有傳統EUV的一半，大型AI晶片因此可能必須採用拼接方式完成曝光。

這正是12吋光罩的重要性。台積電與ASML指出，光罩尺寸從6吋放大到12吋後，可以解除部分拼接限制，提高曝光機生產效率並降低晶片製造成本。路透報導，ASML估計採用大型光罩後，整體系統生產力可能提升約40％，也能讓High NA重新處理接近現有EUV能製造的大型資料中心晶片。

台積電董事長暨總裁魏哲家表示，先進技術愈來愈複雜，必須整合整條產業鏈共同突破。台積電也預估，隨著AI晶片電晶體架構日益複雜，需要使用High NA EUV的製程層數將逐步增加。換句話說，這不只是把「光罩變大」，而是台積電與ASML已開始為2030年代AI晶片製造重新設定設備、光罩與製程生態系的基本規格。

（圖片來源：AI生成）