美國晶片圍堵沒擋住？中國長鑫宣稱第五代DRAM正式量產　11.95奈米半間距、晶圓晶粒數至少增50％

中國DRAM大廠長鑫存儲20日在安徽合肥舉行的世界製造業大會宣布，第五代DRAM技術平台「G5」正式進入量產，並同步推出兩款採用新平台的24Gb LPDDR5X記憶體。長鑫表示，新製程讓每片晶圓能切出的晶粒數較上一代至少增加50％，代表中國記憶體產業在美國持續限制先進半導體設備出口之下，仍在往更高密度、更低成本的量產方向推進。

四重圖形化把半間距做到11.95奈米

G5最受注意的數字是11.95奈米。長鑫利用四重自對準圖形化技術，把DRAM記憶體陣列「有源區半間距」縮小到11.95奈米；電容深寬比做到45比1，並導入適合DRAM的高介電常數金屬閘極技術，把核心功能區高度縮到6762奈米。

不過，11.95奈米不能直接等同於一般讀者熟悉的「11.95奈米製程」。這個數字指的是記憶體陣列中特定結構的實際半間距，與三星、SK海力士、美光用來命名產品世代的製程節點不能直接一對一比較。真正有產業意義的是，在相同晶圓面積裡能塞進更多記憶單元，也就能增加晶粒數量、降低單顆成本。

24Gb LPDDR5X也已進入量產

長鑫此次同步展示兩款24Gb LPDDR5X產品，單顆容量比上一代同類產品提高50％，分別採496球與245球封裝，主要瞄準智慧手機及攜帶式電子產品，公司表示兩款產品目前均已量產。以8Gb產品換算，G5每片晶圓可以生產的晶粒數至少比第四代平台增加50％。

全球DRAM市場目前仍由三星電子、SK海力士與美光主導，長鑫的技術、實際良率與量產規模距離三大廠還有多少差距，仍要看後續出貨數字及客戶採用情況。但這次值得台灣產業注意的是，中國已不只追求「做得出DRAM」，而是進一步競爭製程密度、成本與行動裝置高階記憶體；長鑫18日才傳出準備進軍NAND快閃記憶體，兩天後又宣布新一代DRAM量產，中國記憶體產業版圖正在同步向兩條產品線擴張。

（圖片來源：AI生成）