三星High-NA EUV再往後延！2奈米、1.4奈米都不用　最快1奈米、約2030年才量產導入

一台要價數億美元、被視為下一代先進製程必備神器的High-NA EUV曝光機，三星已經買來測試，卻決定先不要放進量產線。DIGITIMES 21日報導，三星最新製程規劃中，2奈米與1.4奈米世代都不準備使用High-NA EUV，真正量產導入最快要等到1奈米級SF1A製程、時間約落在2030年前後。這代表全球先進製程競賽正在出現一個很有意思的轉折：設備愈先進，不等於愈早用就一定比較有利。

三星原先曾希望High-NA EUV更早進入2奈米甚至1.4奈米製程，但最新路線明顯轉向保守。公司目前把主要資源放在穩定2奈米SF2系列的良率與商業量產，1.4奈米SF1.4量產時間也從原先2027年延後到2029年。到了約2030年的1奈米級SF1A，才規劃正式使用High-NA EUV。

High-NA究竟厲害在哪裡？現行EUV曝光機的數值孔徑NA為0.33，High-NA提高到0.55，可以在更小尺度下形成更精細的線路，理論上減少多重曝光次數，對下一代極小製程非常重要。但代價也非常驚人：新機器不只價格高，晶圓廠還必須重新處理光阻劑、光罩保護膜、計算微影與廠房配置等一整套生態系。

所以半導體公司真正計算的不是「High-NA好不好」，而是現在用划不划算。

三星雖然已取得ASML Twinscan EXE:5000進行測試，但在2奈米、1.4奈米繼續使用成熟的0.33NA EUV，可以降低製程轉換風險，也避免在良率尚未完全成熟前，同時承擔新曝光技術的成本與不確定性。

更值得注意的是，三星不是唯一一個不急的人。

台積電早已公開表示，A16與2028年量產的A14都不需要High-NA EUV，只有當這套設備真正帶來經濟效益時才會導入；目前市場普遍預期台積電也不會在2030年前大規模量產使用。相較之下，英特爾是現階段最積極押注High-NA的先進製程業者之一，規劃在14A世代導入。

這使全球先進製程出現3種策略：英特爾想早用，三星決定延後，台積電則明確表示「不需要為了使用新機器而使用新機器」。

對台灣半導體設備與材料供應鏈而言，這一點尤其重要。High-NA真正放量的時間如果往2030年靠近，相關光罩、光阻、量測、檢測與廠務設備的投資節奏也會被重新安排。

先進製程到了埃米世代，競爭已經不只是誰拿到最貴的機器，而是誰能用最低的製程複雜度，把良率、成本與性能做出來。

三星這次把High-NA一路推到1奈米，某種程度也證明：在半導體競賽裡，最先進的設備只有在真正能轉化成量產效率時，才有價值。

（圖片來源：AI生成、翻攝畫面）